技術(shù)編號：40396514
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請屬于化學機械拋光，具體涉及一種化學機械拋光用保持環(huán)、承載頭和化學機械拋光設(shè)備。背景技術(shù)、化學機械拋光（cmp）工藝是用于半導體晶圓表面拋光和平坦化的重要工藝。在該工藝中，保持環(huán)用于防止晶圓從承載頭下方滑脫，同時通過與拋光墊接觸實現(xiàn)對晶圓邊緣壓力調(diào)整，改善拋光效果。然而，隨著高硬度材料如氮化鎵（gan）、碳化硅（sic）等難加工材料的廣泛應用，cmp工藝面臨越來越大的挑戰(zhàn)。這些材料所需的拋光壓力較大，導致保持環(huán)和拋光墊之間的摩擦力顯著增大，導致保持環(huán)的磨損加劇，需要頻繁更換。這使得加工效率...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。