技術(shù)編號(hào):40399092
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及晶體制備領(lǐng)域,特別是涉及一種鑄造法晶體生長(zhǎng)控制方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。背景技術(shù)、氧化鎵(β-gao)是一種極具前景的超寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度.ev,飽和電子漂移速度快、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等諸多優(yōu)點(diǎn),使得β-gao在電力電子器件、射頻器件等領(lǐng)域,如通信、雷達(dá)、航空航天、高鐵動(dòng)車(chē)、新能源汽車(chē)等行業(yè)有著廣泛的應(yīng)用前景。與第三代半導(dǎo)體如碳化硅和氮化鎵相比,氧化鎵可以在常壓下用熔體法生長(zhǎng),具備高質(zhì)量和低成本的優(yōu)勢(shì),氧化鎵電力損耗僅為碳化硅的十分之一,成本也比碳化硅更低...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。