技術(shù)編號：40402092
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于碳化硅器件，特別是涉及一種碳化硅器件及其制造方法。背景技術(shù)、碳化硅材料作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表之一，具有禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、熱導(dǎo)率高和電子飽和漂移速度高等特點，在大功率、高溫及高頻電力電子領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。平面型碳化硅器件的遷移率較低，并且寄生的結(jié)型場效應(yīng)晶體管(junction?field-effect?transistor，jfet)電阻造成碳化硅器件的導(dǎo)通電阻上升，使得芯片面積較大。溝槽型碳化硅器件消除了平面型碳化硅器件中寄生的jfet電阻，減小了元胞尺寸...
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