技術(shù)編號(hào):40403517
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,特別涉及一種離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正方法及系統(tǒng)。背景技術(shù)、在opc(optical?proximity?correction,光學(xué)鄰近效應(yīng)修正)程序中,針對(duì)離子注入?yún)^(qū)(implant)二維cd(關(guān)鍵尺寸)較小的版圖區(qū)域(pattern)進(jìn)行修正時(shí)基本采用固定范圍內(nèi)做固定距離的移動(dòng)的方式,以達(dá)到保證離子注入?yún)^(qū)二維cd達(dá)到規(guī)定尺寸的目的。但上述方法存在一個(gè)極大的缺點(diǎn),由于離子注入?yún)^(qū)與相鄰有源區(qū)(aa)的距離是不同的,但離子注入?yún)^(qū)邊界移動(dòng)的值是固定的,所以擴(kuò)大后的離子注入?yún)^(qū)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。