技術(shù)編號(hào)：40405883
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于晶體檢測(cè)，涉及晶體位錯(cuò)的檢測(cè)，具體涉及一種基于芬頓反應(yīng)的晶體位錯(cuò)的檢測(cè)方法。背景技術(shù)、公開該背景技術(shù)部分的信息僅僅旨在增加對(duì)本發(fā)明的總體背景的理解，而不必然被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已經(jīng)成為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。、氮化鎵（gan）作為第三代半導(dǎo)體材料以其寬帶隙、高電子遷移率和高電子飽和速度等優(yōu)點(diǎn)獲得了廣泛應(yīng)用。雖然近年來(lái)gan單晶的晶體質(zhì)量逐漸提高，但仍然具有高密度位錯(cuò)（-cm?），這主要是由于缺乏高質(zhì)量的大塊氮化鎵襯底，阻礙了該材料在高頻、高...
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