技術(shù)編號(hào)：40407451
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種拋光過程中測(cè)量晶圓金屬薄膜厚度的方法、裝置、拋光設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。背景技術(shù)、在對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋時(shí)，通常需要通過電渦流傳感器測(cè)量晶圓表面金屬薄膜的厚度，在金屬薄膜的厚度達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí)，給予正確信號(hào)終止化學(xué)機(jī)械拋光過程，從而保證拋光的精度。、化學(xué)機(jī)械拋光過程的過程包括化學(xué)作用和機(jī)械作用兩方面的拋光作用，具體地，拋光液與晶圓之間的存在化學(xué)作用，拋光液、拋光墊和拋光頭與晶圓之間存在機(jī)械作用。而化學(xué)作用和機(jī)械作用均會(huì)導(dǎo)致晶圓的溫度急劇上升，導(dǎo)致晶圓上金屬薄膜的電...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。