技術(shù)編號：44608
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本實用新型公開了一種帶有七層對通隔離結(jié)構(gòu)的可控硅芯片，包括陽極區(qū)P1、N-型長基區(qū)、短基區(qū)P2、N-+型陰極區(qū)和正面的氧化膜、正面的門極金屬電極、正面的陰極金屬電極、背面的陽極金屬電極、環(huán)形鈍化溝槽及七層對通隔離結(jié)構(gòu)的隔離環(huán)，七層對通隔離結(jié)構(gòu)的隔離環(huán)是由從上到下的硼雜質(zhì)區(qū)、硼鋁混合雜質(zhì)區(qū)、鋁雜質(zhì)區(qū)、鋁?鋁交疊雜質(zhì)區(qū)、鋁雜質(zhì)區(qū)、硼鋁混合雜質(zhì)區(qū)、硼雜質(zhì)區(qū)構(gòu)成，七層對通隔離結(jié)構(gòu)的隔離環(huán)沿垂直方向設(shè)于正面的氧化膜與背面的陽極金屬電極之間并且環(huán)繞于陽極區(qū)P1、N-型長基區(qū)、短基區(qū)P2四周，本實用新型擴(kuò)散時間短、生產(chǎn)能...
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