技術(shù)編號：4633057
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種，立式爐用于對晶舟中的晶圓進行半導體工藝，其包括反應(yīng)腔和爐門，裝載區(qū)位于立式爐下方，其包括一冷卻區(qū)，晶舟下方設(shè)有一保溫桶用于防止工藝中的熱量流失，該方法包括如下步驟將晶舟與保溫桶以第M降舟速度從立式爐中降低第M降舟距離，以使剛卸載出反應(yīng)腔的晶舟部分和/或保溫桶部分處于爐門附近的冷卻區(qū)，并保持第M時長；其中，M為大于等于1的正整數(shù)；M遞增1，重復進行上一步驟；直至晶舟與保溫桶降低至工藝原點。該方法有效減少了顆粒粘附、防止了對晶圓的污染，實施簡單...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。