技術(shù)編號(hào)：5269130
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供，包括步驟1)提供一表面具有微通道和儲(chǔ)液池的基底，生長(zhǎng)第一自組裝單層膜；2)提供一具有鏤空結(jié)構(gòu)的硬掩膜，對(duì)準(zhǔn)后，利用紫外光穿過鏤空結(jié)構(gòu)輻照至第一自組裝單層膜的局部區(qū)域，使所述第一自組裝單層膜的局部區(qū)域被氧化去除；3)在去除第一自組裝單層膜的區(qū)域生長(zhǎng)第二自組裝單層膜。4)重復(fù)步驟2)，局部去除所述第一自組裝單層膜的另一局部區(qū)域，并在這一區(qū)域生長(zhǎng)第三自組裝單層膜；5)繼續(xù)重復(fù)上述去除和生長(zhǎng)步驟，實(shí)現(xiàn)多重自組裝單層膜在圓片級(jí)基底表面的集成生長(zhǎng)。該方法可...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。