技術(shù)編號(hào)：5269395
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了，該方法包括以下步驟a、提供CMOS集成電路的半導(dǎo)體襯底，該半導(dǎo)體襯底表面具有CMOS集成電路引線端；b、在所述半導(dǎo)體襯底上涂覆犧牲層；c、在所述犧牲層上涂覆光刻膠；d、分兩步對(duì)涂覆光刻膠的犧牲層進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕，形成所需圖形，其中在所述兩步中采用不同流量配比的氟基氣體與氧原子的混合氣體刻蝕；e、依次對(duì)刻蝕后的圖形進(jìn)行有機(jī)化學(xué)溶液、無機(jī)化學(xué)溶液、去離子水的清洗及甩干。本發(fā)明解決了聚酰亞胺刻蝕形貌、關(guān)鍵尺寸、犧牲層高度難以控制的問題，提高了該工藝...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。