技術(shù)編號：5275974
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種在半導(dǎo)體晶圓上進(jìn)行材質(zhì)電沉積(Electrodeposition)制程及其沉積裝置，特別是涉及一種控制電鍍制程的初始階段的方法及其電鍍裝置，以改善材質(zhì)的溝填能力(Gap Fill)以及避免材質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生缺陷。背景技術(shù) 為了增加集成電路中訊號處理的效能，經(jīng)常使用銅金屬以及銀金屬作為內(nèi)連線的材質(zhì)。相較之下，這些金屬的電阻值小于鋁金屬。除了電阻值較小的特性之外，銅金屬具有較佳的漂移率以及可靠度。習(xí)知技術(shù)中，銅的金屬化制程可使用化學(xué)氣相沉積法、選擇性無...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。