技術(shù)編號(hào)：5984382
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種薄膜磁阻傳感器及該薄膜磁阻組成的電橋半橋和電橋全橋。背景技術(shù)薄膜磁阻傳感器元件被廣泛的應(yīng)用在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域(計(jì)算機(jī)硬盤，MRAM),電流的測(cè)量領(lǐng)域，位置測(cè)量，物體的移動(dòng)和速度，角度及角速度等的測(cè)量領(lǐng)域。薄膜磁阻傳感器元件有多層膜結(jié)構(gòu)和自旋閥結(jié)構(gòu)。多層膜結(jié)構(gòu)包括磁性層和非磁性層，它們交替的沉積在襯底上。自旋閥結(jié)構(gòu)包括非磁性釘扎層(Mnlr，MnPt)、磁性被釘扎層(CoFeB、CoFe,或是 SAF 結(jié)構(gòu) CoFe/Ru/CoFe 等)、非磁...
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