技術(shù)編號(hào):6000002
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及X射線成像,尤其是涉及用于X射線成像的硅檢測(cè)器組件。 背景技術(shù)X射線成像是在醫(yī)療成像領(lǐng)域的一個(gè)常用方法,用于X射線成像的能量范圍通常是10 keV至200 keV,在非損害性試驗(yàn)或者安全篩查中,所用的能量更高。在這個(gè)范圍內(nèi), X射線主要通過(guò)康普頓效應(yīng)和光子效應(yīng)來(lái)與物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)。在第一個(gè)例子即康普頓效應(yīng)的例子中,僅有一部分X射線光子的能量是轉(zhuǎn)移到電子上,而在這次散射之后,X射線持續(xù)減少能量。再后面的例子即光子效應(yīng)的例子中,所有能量都轉(zhuǎn)移到電子上,而...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。