技術(shù)編號：6185695
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一種TEM樣品的制作方法及利用該方法形成的TEM樣品，所述方法包括提供樣品，所述樣品中具有目標(biāo)區(qū)域，所述樣品為硅襯底及其上覆蓋的芯片材料層；對所述樣品進行截面研磨工藝，截面研磨后的樣品的邊緣與所述目標(biāo)區(qū)域的距離為2-10微米；在所述截面研磨后的樣品上形成單側(cè)大坑，所述截面研磨后的樣品的厚度減薄為1-3微米;去除硅襯底上覆蓋的所述芯片材料層，保留樣品；使用FIB方法對減薄后的樣品進行平面制樣，形成TEM樣品。利用本發(fā)明的方法制作的TEM樣品能夠在平面T...
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