技術(shù)編號：6251638
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種基于MEMS工藝的F-P壓力傳感器及成型方法，屬于高精度光纖傳感測量領(lǐng)域。所述F-P壓力傳感器主要包括F-P壓力敏感MEMS芯片、準(zhǔn)直擴(kuò)束光纖和基座；其中，F(xiàn)-P壓力敏感MEMS芯片由SOI硅片和玻璃片組成；SOI硅片包括頂層硅、中間氧化層和底層硅；SOI硅片通過硅-玻璃陽極鍵合固定在玻璃片上，玻璃片與準(zhǔn)直擴(kuò)束光纖均通過焊料焊接在基座上；所述F-P壓力敏感MEMS芯片基于MEMS微加工技術(shù)制備，通過與準(zhǔn)直擴(kuò)束光纖對準(zhǔn)封裝后構(gòu)成光纖F-P壓力...
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