技術(shù)編號(hào):6539558
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及抗輻照加固,尤其是一種。包括以下步驟步驟一,對(duì)設(shè)備進(jìn)行真實(shí)輻照環(huán)境下的輻照試驗(yàn),并判定寄存器各節(jié)點(diǎn)是否發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn);步驟二,對(duì)設(shè)備進(jìn)行故障仿真,判定只要單粒子發(fā)生翻轉(zhuǎn)必定會(huì)導(dǎo)致鎖存錯(cuò)誤的節(jié)點(diǎn);步驟三,對(duì)步驟二中所判定的節(jié)點(diǎn)確定其臨界翻轉(zhuǎn)電流值;步驟四,對(duì)步驟二所判定的節(jié)點(diǎn)進(jìn)行選擇,選出在真實(shí)環(huán)境輻照測(cè)試中沒(méi)有發(fā)生翻轉(zhuǎn)的節(jié)點(diǎn);步驟五,將步驟四中選擇出的節(jié)點(diǎn)按其臨界翻轉(zhuǎn)電流值進(jìn)行排序;步驟六,將排序中最小的臨界翻轉(zhuǎn)電流值作為設(shè)備抗輻照的加固目標(biāo)。本...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
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