技術(shù)編號：6581939
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種集成電路中電容模型的提取方法，具體涉及一種金屬-絕緣 物-金屬(Metal-Insulator-Metal，簡稱MIM)電容模型的提取方法。背景技術(shù)目前廣泛應(yīng)用的MIM電容，其基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，MIM電容位于頂層 金屬1和頂層金屬的下一層金屬2之間，由MIM電容上極板3和下一層金屬2 構(gòu)成了一個基本的平行板電容器。上極板3和下一層金屬2均通過電介質(zhì)中的 通孔4 (VIA)來連接頂層金屬1,然后分別連接到針墊5 (PAD)和針墊6，則 針墊5...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
請注意，此類技術(shù)沒有源代碼，用于學習研究技術(shù)思路。