技術(shù)編號(hào)：6748852
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)電路、鎖存電路和觸發(fā)電路，特別涉及一種包括雙穩(wěn)電路(bistable circuit)和鐵磁性隧道結(jié)器件的存儲(chǔ)電路、鎖存電路和觸發(fā)電路。 背景技術(shù) 作為用于電子裝置的易失性存儲(chǔ)電路，SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是公知的。圖1是例示了利用了MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的SRAM的存儲(chǔ)單元的電路圖。存儲(chǔ)單元具有雙穩(wěn)電路30、兩個(gè)輸入/輸出晶體管m5和m6。CMOS反相器10(第一反相電路)和CMOS反相器20(第二反相...
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