技術(shù)編號(hào)：6752216
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種導(dǎo)通微通道存儲(chǔ)器(Conductive Bridging Random AccessMemory， CBRAM)元件及其制造方法。背景技術(shù)導(dǎo)通微通道存儲(chǔ)器(CBRAM)是一種利用電阻值變化進(jìn)行數(shù)據(jù)存取的非易失性 存儲(chǔ)器技術(shù)，同屬電阻式存儲(chǔ)器(RRAM)的范疇。導(dǎo)通微通道存儲(chǔ)器的元件結(jié)構(gòu)可視為 電解槽，由金屬陽(yáng)極(Ag或Cu)與惰性陰極(Ni、W或Pt)中間填以固態(tài)電解質(zhì)(Solid electrolyte)所組成。此固態(tài)電解質(zhì)的材料為玻璃狀態(tài)...
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