技術(shù)編號(hào)：6765715
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一NAND型內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器，包括若干內(nèi)核單元，所述內(nèi)核單元又包括比較單元、讀寫(xiě)單元和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，其中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元包括兩個(gè)半浮柵晶體管，該半浮柵晶體管通過(guò)改變自身閾值電壓存入數(shù)據(jù)位。本發(fā)明不但簡(jiǎn)化了現(xiàn)有技術(shù)中基于SRAM的內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器單元的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，而且實(shí)現(xiàn)了二元型內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器和三元型內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器之間的靈活切換。專(zhuān)利說(shuō)明NAND型內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器[0001]本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器技術(shù)，特別是涉及NAND型內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器。背景技術(shù)[00...
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