技術編號：6768092
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明系關于用于增加磁阻記憶胞元之相對阻值差，在一半導體裝置中，該磁阻記憶胞元在一第一磁化態(tài)與一第二磁化態(tài)之間，具有一記憶層與一參考層于信道阻障兩側，其中該記憶層之磁化相對于該參考層之參考磁化系為單向，其中該第二磁化態(tài)系相對于該參考磁化被相對地引導。一磁阻記憶胞元通常系包含兩鐵磁系統(tǒng)，且其間具有一非鐵磁隔離層。在最簡單的范例中，該兩系統(tǒng)系包含一鐵磁層。該第一鐵磁層典型系以硬鐵材質(zhì)制造，例如鈷-鐵合金。此鐵磁層具有磁性與方向之永久磁化作用，而作為一參考層。以...
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