技術(shù)編號：6777124
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及數(shù)字數(shù)據(jù)的錯誤校正(error correction )，更特別地， 涉及對于每個單元存儲多個位的閃存(flash memory)裝置的錯誤校 正的方法。背景技術(shù)閃存裝置為人所知已有很多年了。 一般地，閃存內(nèi)各個單元存儲 一個位的信息。常規(guī)上，用于存儲位的方式是通過支持單元的兩種狀態(tài)——一種狀態(tài)代表邏輯"o"，另一種狀態(tài)代表邏輯"r 。在閃存 單元中，通過在單元的溝道(連接單元的晶體管的源極和漏極元件的 區(qū)域)之上具有浮動?xùn)艠O并在該浮動?xùn)艠O內(nèi)具有...
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