技術(shù)編號：6816159
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及采用有關(guān)氮化鎵(GaN)的材料來制造化合物半導(dǎo)體器件的方法。特別涉及器件中電極與n型半導(dǎo)體層連接的改善。采用有關(guān)GaN的材料的化合物半導(dǎo)體器件包括，例如，發(fā)光二極管和激光二極管。有關(guān)GaN的材料的化合物半導(dǎo)體是直接躍遷型，有高發(fā)光效率，并發(fā)射屬于光的三原色之一的藍(lán)光。因此，近年來，象有關(guān)GaN的材料的化合物半導(dǎo)體作為發(fā)光器件形成材料引起了人們注意。這種有關(guān)GaN的材料的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件中，要求與n型半導(dǎo)體層連接的n電極有低的功函數(shù)。只有鋁(A...
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