技術(shù)編號(hào)：6819755
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及MIS晶體管的制造方法，具體涉及MIS晶體管的溝道區(qū)和源/漏區(qū)的制造方法。MIS晶體管是一種具有金屬-絕緣膜-半導(dǎo)體的三層結(jié)構(gòu)的晶體管，對(duì)金屬電極施加電壓通過絕緣體控制半導(dǎo)體的表面電導(dǎo)率。例如，二氧化硅作為絕緣膜的MOS晶體管也包括在內(nèi)。具體地，MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)通常用于半導(dǎo)體集成電路。對(duì)于將雜質(zhì)引入半導(dǎo)體襯底的方法，包括固相擴(kuò)散和等離子摻雜等。然而，最常使用的是以上介紹的離子注入技術(shù)。離子注入的優(yōu)點(diǎn)在于可良好再現(xiàn)性地形成雜質(zhì)分布...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。