技術(shù)編號：6833691
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體膜、半導(dǎo)體膜的制造方法、使用該半導(dǎo)體膜的太陽能電池以及太陽能電池的制造方法。背景技術(shù) 使用CuInSe2(以下稱為CIS)和Cu(In，Ga)Se2(以下稱為CIGS)作為光吸收層的的太陽能電池具有以下優(yōu)點表現(xiàn)為高能量轉(zhuǎn)換效率和不會由光照射引起效率下降，其中CuInSe2是含有Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的化合物半導(dǎo)體(黃銅礦構(gòu)成的半導(dǎo)體)，并且Cu(In，Ga)Se2是具有Ga的CIS的固體溶劑。一般來說，為了提高太陽能電...
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