技術(shù)編號(hào):6836100
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光器件的生長(zhǎng),尤其是一種在氮化材料系統(tǒng)中,舉例如(Al,Ga,In)N材料系統(tǒng)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的生長(zhǎng)。本發(fā)明可以應(yīng)用于例如半導(dǎo)體激光二極管(LD)的生長(zhǎng)。本發(fā)明的背景(Al,Ga,In)N材料系統(tǒng)包括具有一般公式為AlxGayIn1-x-yN的材料,其中0≤x≤1并且0≤y≤1。在該應(yīng)用中,(Al,Ga,In)N材料系統(tǒng)中的一個(gè)具有非零克分子比的鋁、鎵和銦的成員將作為AlGaInN被談到,一個(gè)具有零的鋁克分子比但是具有非零的鎵和銦克分...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。