技術(shù)編號：6845560
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及微電子裝置，尤其涉及發(fā)光裝置(LED)的制作及其形成的LED。背景技術(shù) 已經(jīng)公知的是，在基于碳化硅的發(fā)光裝置中，碳化硅(SiC)襯底的厚度能夠影響給定電流電平處的操作所述裝置所需的正向電壓。例如，可以從Cree公司得到的基于SiC的發(fā)光二極管C450-CB230-E1000具有厚度大約250μm(+/-25μm)的襯底，在大約10mA正向工作電流下具有大約3.5伏特的相關正向工作電壓。此外，減小LED的SiC襯底的厚度可以減小正向電壓，這可得到這...
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