技術(shù)編號(hào)：6846227
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及磁隧道結(jié)(MTJ)，并且更具體地，涉及使用用于自由層(free layer)的合成反鐵磁(SAF)結(jié)構(gòu)的MTJ。背景技術(shù) 公知磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)具有許多優(yōu)點(diǎn)，例如快速、非易失性和高密度。然而，在以可制造方式生產(chǎn)MRAM中存在困難。已經(jīng)遭遇的困難之一是難于可靠地寫入MRAM單元。通過轉(zhuǎn)換比特已經(jīng)有效地解決了這一困難，轉(zhuǎn)換比特既改變寫入方式，又改變以前使用的自由層的結(jié)構(gòu)。這一特定解決方案通常使用用于自由層的SAF結(jié)構(gòu)。使用用于自由層的SA...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。