技術(shù)編號(hào)：6848508
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及。背景技術(shù) 在1微米以下的半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中一般都會(huì)使用側(cè)墻的結(jié)構(gòu)，側(cè)墻一般用來環(huán)繞多晶硅柵，防止更大劑量的源漏注入過于接近溝道以致可能發(fā)生源漏穿通。在一般的0.15微米以上的D形貌的側(cè)墻生產(chǎn)工藝大致如圖1所示，首先是用化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，以下簡(jiǎn)稱CVD)的方法在硅表面生長(zhǎng)一層二氧化硅薄膜，然后再用CVD方法在二氧化硅薄膜上面生長(zhǎng)一層氮化硅薄膜，再進(jìn)行側(cè)墻刻蝕。成長(zhǎng)的一層二氧化硅...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。