技術(shù)編號：6849458
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及以電極結(jié)構(gòu)為特征的半導(dǎo)體器件，其包括絕緣層和形成在絕緣層上的電極，更具體地涉及一種包括金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(DRAM)器件、非易失性半導(dǎo)體存儲器件等等的半導(dǎo)體器件，其中每一種以這種電極結(jié)構(gòu)為特征。背景技術(shù) 例如，半導(dǎo)體器件中所包括的MOS晶體管以電極結(jié)構(gòu)為特征，該電極結(jié)構(gòu)稱為柵極電極結(jié)構(gòu)。在該MOS晶體管中，例如在得自于單晶硅晶片的硅襯底中制作源極區(qū)和漏極區(qū)，并在硅襯底上構(gòu)造柵極電極使其與源極和漏極區(qū)聯(lián)合起來。也就是...
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