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      包含存儲(chǔ)單元與限流器的半導(dǎo)體元件的制作方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號(hào):6857654

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      本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件的改良,以及操作改良式半導(dǎo)體元件電路的方法。更精確地說,本發(fā)明涉及限制存儲(chǔ)單元的源極和漏極之間電流不超出預(yù)設(shè)值的裝置和方法。背景技術(shù) 常見的快閃電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)存儲(chǔ)單元,典型地包含隔離的源極和漏極區(qū)域,擴(kuò)散于半導(dǎo)體襯底內(nèi),并且在其間提供溝道區(qū)域。此外,常見的快閃存儲(chǔ)單元,包含在溝道區(qū)域上的電絕緣浮動(dòng)?xùn)艠O,以及配置在該浮動(dòng)?xùn)艠O上的控制柵極。在源極、漏極和控制柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷海姾删蜁?huì)被儲(chǔ)存在浮動(dòng)?xùn)艠O上或者自浮動(dòng)?xùn)?..
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