技術(shù)編號(hào):6866740
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及把多個(gè)晶體管組合起來(lái)構(gòu)成的半導(dǎo)體集成電路、邏輯運(yùn)算電路和觸發(fā)器,特別是涉及降低功耗和提高信號(hào)傳送速度的技術(shù)。要實(shí)現(xiàn)CMOS邏輯電路的高速化,就需要用閾值電壓低的晶體管構(gòu)成電路。然而,卻存在著晶體管的閾值電壓越低備用時(shí)漏泄電流越大的問(wèn)題。為了避免該問(wèn)題,人們提出了可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)電路的高速動(dòng)作和低漏泄電流的MT-CMOS(Multiple Threshold voltage CMOS,多閾值電壓CMOS)電路的方案。圖8是MT-CMOS電路的現(xiàn)有技術(shù)的...
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