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      具有具拉伸應(yīng)變且沿著具增加的載流子遷移率的晶體學(xué)定向的溝道的晶體管的制作方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號(hào):6886992

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      一般而言,本發(fā)明系關(guān)于集成電路的形成,且更詳言之,系關(guān)于 通過(guò)在漏極及源極區(qū)使用應(yīng)變引發(fā)源(諸如嵌入式應(yīng)變層)而具有應(yīng)變溝道區(qū)的晶體管的形成,以增進(jìn)在金氧半導(dǎo)體(MOS)晶體管的溝道區(qū)中 之載流子遷移率。背景技術(shù)集成電路的制造需要依據(jù)特定的電路布局而在給定的芯片區(qū)域上 形成大量的電路組件。 一般而言,許多的處理技術(shù)現(xiàn)正實(shí)施中,其中, 對(duì)于復(fù)雜的電路,諸如是微處理器儲(chǔ)存芯片以及其相似物品,鑒于互 補(bǔ)金氧半導(dǎo)體(CMOS)之操作速度及/或功率消耗及/或成本效益...
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