技術(shù)編號：6889202
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明大體上涉及集成電路(IC)的制造方法。更特定來說，本發(fā)明是IC中的高度選擇性碳蝕刻終止的制造方法，其中所述蝕刻終止即使在經(jīng)受高溫時也幾乎不擴散到 周圍半導體層內(nèi)。背景技水己出現(xiàn)若干種材料系統(tǒng)作為將摩爾定律(Moore's law)廣泛推進未來十年的關(guān)鍵推 動因素。這些關(guān)鍵推動因素包括(1)絕緣體上硅(SOI); (2)硅鍺(SiGe);以及(3) 應變硅。就SOI和相關(guān)技術(shù)來說，存在很多與絕緣襯底相關(guān)聯(lián)的優(yōu)點。這些優(yōu)點包括寄 生電容減少、電隔離改進和...
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