技術(shù)編號(hào)：6890498
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。方法本發(fā)明概括來說涉及用于發(fā)光二極管的多量子阱結(jié)構(gòu)，以及用于發(fā)光二極管的多 量子阱結(jié)構(gòu)的制造方法。背景技術(shù)發(fā)光二極管(LEDs)可以充當(dāng)光源，并且通常用在諸如室外全色顯示器、交通信號(hào) 燈、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、固態(tài)發(fā)光和通信等應(yīng)用中。典型地，基于三族氮化物的LED發(fā)出的光的波長(zhǎng) 對(duì)應(yīng)于活性氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)多量子阱(MQW)層的帶隙。當(dāng)在GaN層的p_n 結(jié)兩端施加偏壓時(shí)發(fā)光。在LED中，孔洞和由ρ型和n-GaN層注入的電子在活性層上結(jié)合 以從LE...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。