技術(shù)編號(hào)：6891617
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。實(shí)施例涉及一種制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的方法。其它實(shí)施例涉及一種形成相 變層的方法，使用形成相變層的方法制造存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的方法，以及應(yīng)用制造存 儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的方法制造相變存儲(chǔ)器件的方法。背景技術(shù)相變材料的分子結(jié)構(gòu)根據(jù)它的溫度可能為結(jié)晶狀態(tài)或非晶狀態(tài)。當(dāng)相變 材料為結(jié)晶時(shí)，相變材料的電阻可能相對(duì)地低。當(dāng)相變材料為非晶時(shí)，相變 材料的電阻可能相對(duì)高。相變存儲(chǔ)器件使用相變材料的上述特性來(lái)記錄數(shù)據(jù)。相變存儲(chǔ)器件可能 包括晶體管、以及通過(guò)接觸插塞電連接到晶體管的源極區(qū)和漏極區(qū)的存儲(chǔ)節(jié)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。