技術(shù)編號(hào)：6894981
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體工藝的裝置。更特別的是，本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體蝕刻或沉積工藝期間用來檢測(cè)蝕刻端點(diǎn)或沉積端點(diǎn)的端點(diǎn)檢測(cè)裝置、具有該端點(diǎn)檢測(cè)裝置的等離子體反應(yīng)器、以及端點(diǎn)檢測(cè)方法。 背景技術(shù) 從晶圓直到完成一個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)品，通常需要進(jìn)行一系列極為復(fù)雜的半導(dǎo)體工藝。在一系列的半導(dǎo)體工藝中，各種工藝都使用各種不同的半導(dǎo)體加工設(shè)備。各個(gè)半導(dǎo)體加工設(shè)備的操作效能(亦即，加工條件)都是決定半導(dǎo)體成品的操作效能的因素。因此，半導(dǎo)體加工設(shè)備的異常加工誤差會(huì)變成得到品質(zhì)優(yōu)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。