技術(shù)編號：6897726
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種磁阻效應(yīng)元件，和利用此元件的磁阻效應(yīng)型磁頭及磁存儲與還原裝置，例如硬盤裝置。 背景技術(shù) 近年來，在硬盤驅(qū)動裝置中的磁存儲的高密化進(jìn)展十分顯著，與此相對應(yīng)，還原磁頭也有了顯著的進(jìn)展。特別是采取了利用巨大磁阻效應(yīng)(GMR)的翻轉(zhuǎn)閥型磁阻效應(yīng)元件，使磁阻效應(yīng)型磁頭(MR磁頭)的靈敏度大大提高。在翻轉(zhuǎn)閥型的MR元件中，非磁性層夾在兩個強(qiáng)磁性層之中，一個強(qiáng)磁性層(固定層)的磁化方向被磁化翻轉(zhuǎn)抑制層的交變偏置磁場固定(稱此強(qiáng)磁性層與磁化翻轉(zhuǎn)抑制層為交變耦...
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