技術(shù)編號：6899084
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種，且特別是有關(guān)于一種柵極完全包覆(gate all around, GAA)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置及其制 造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，為了跟隨元件尺寸縮小的趨勢，及 解決隨之而來的物理極限問題，各種新穎的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)不斷的被提 出。以存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)為例，包括雙柵極(double gate)或三柵極(tri-gate) 結(jié)構(gòu)的鰭型柵極(fm gate)存儲(chǔ)器是利用三維立體結(jié)構(gòu)，增加溝道的 等效寬度，使存儲(chǔ)器裝置在小尺寸之下仍然能夠產(chǎn)生顯著...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。