技術(shù)編號：6900411
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及提高存儲器陣列中MRAM單元密度的裝置和方法。背景技術(shù) 磁阻隨機(jī)訪問存儲器(MRAM)的體系結(jié)構(gòu)由多個(gè)存儲器單元或存儲器單元陣列，和多個(gè)數(shù)元(digit)與位(bit)線交點(diǎn)組成。通常使用的磁阻存儲器單元由磁隧道結(jié)(MTJ)，隔離晶體管和數(shù)元與位線的交點(diǎn)組成。隔離晶體管通常是n溝道場效應(yīng)晶體管(FET)?；ミB堆疊將隔離晶體管連接到MTJ器件，位線(bit line)和被用來產(chǎn)生用于對MRAM單元進(jìn)行編程的磁場部分的數(shù)元線(digit line)。...
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