技術編號：6903572
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體材料的生長方法，尤其涉及。背景技術外延生長半導體材料是目前半導體制造領域中常見的工藝之一 。為了獲得高質量的晶體，需要采用外延生長的方法，如MOCVD或者HVPE，通過嚴格 控制物理化學參數(shù)，在襯底的表面獲得高質量的半導體晶體外延層。并且，為 了避免襯底與外延層之間的異質結構的殘余應力對外延層產(chǎn)生影響，最好可以 在外延層生長完畢后，將外延層和襯底層之間分離。目前為了實現(xiàn)外延層與襯底材料之間的分離，主流技術有三種其一是采 用激光剝離的方法來實...
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