技術(shù)編號：6905172
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制作，特別涉及一種半導(dǎo)體器件柵極的制作方法及調(diào)整方法。背景技術(shù)目前，對于亞微米以下的半導(dǎo)體器件而言，柵極的形狀對器件的性能有重要影響。如何形成合適的柵極形狀，以有效改善器件的性能參數(shù)，已經(jīng)成為當今半導(dǎo)體器件制作領(lǐng)域中備受關(guān)注的問題之一。 圖1為現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體器件柵極的制作方法的器件剖面圖。如圖1所示，先在襯底101上生成柵氧化層102，再在該柵氧化層102上沉積多晶硅層103。然后，對多晶硅層進行光刻處理，在多晶硅層上定義出柵極圖形...
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