技術(shù)編號(hào)：6905257
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種淺溝槽隔離區(qū)的形成方法及一種NM0S晶體管的制造方法。 背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造技術(shù)中，為了使在半導(dǎo)體襯底上制造的不同的半導(dǎo)體器件之間電絕 緣，通常在半導(dǎo)體襯底上的不同的半導(dǎo)體器件之間形成淺溝槽隔離區(qū)(STI)。 STI的形成方 法通常包括首先在半導(dǎo)體襯底上刻蝕溝槽，在溝槽內(nèi)填充絕緣介質(zhì)，直到溝槽內(nèi)填充滿， 然后進(jìn)行快速熱處理(RTP)使絕緣介質(zhì)層更致密，使溝槽內(nèi)的絕緣介質(zhì)內(nèi)的應(yīng)力均勻分 布；接著進(jìn)行平坦化，去除半導(dǎo)體襯底上的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。