技術(shù)編號：6920928
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種肖特基(Schottky)勢壘二極管，并且具體地，本 發(fā)明涉及其反向擊穿電壓特性的補(bǔ)救措施。背景技術(shù)作為與高壓開關(guān)元件(電力裝置)有關(guān)的技術(shù)，例如，如在專利 文獻(xiàn)1的圖6A和6B中公開的，己知通過外延生長在藍(lán)寶石襯底上形 成GaN層，并且然后在該外延生長層上形成具有臺(tái)面結(jié)構(gòu)或者平板結(jié) 構(gòu)的肖特基勢壘二極管。該文獻(xiàn)的圖1示出當(dāng)外延生長層的摻雜濃度 降低時(shí)在理論上預(yù)期的GaN整流器的反向擊穿電壓特性。專利文獻(xiàn)1日本專利申請?zhí)亻_(PCT申請的譯文)...
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