技術(shù)編號(hào):6921789
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件,且特別是有關(guān)于一種具有高介電常數(shù)與低漏電流特性的金屬電容器。但是若電容器的儲(chǔ)存電量若太小,則所提供的訊號(hào)將會(huì)不穩(wěn)定,因此又必須想辦法增加電容器的儲(chǔ)存電量。因?yàn)殡娙萜鞯碾娙菔呛碗娙萜鹘殡妼拥慕殡姵?shù)成正比的,因此使用具有高介電常數(shù)的介電材料來(lái)作為電容器介電層就成為普遍的需求。但是一般具有高介電常數(shù)的介電材料,其價(jià)帶(valence band)至傳導(dǎo)帶(conductive band)的能隙(band gap)一般都不夠大,例如氧...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。