技術(shù)編號:6922387
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及非易失性存儲器件。本發(fā)明尤其涉及包括夾在電極對之間的硫系材料的非易失性存儲器件,該非易失性存儲器件通過電阻開關(guān)技術(shù)來存儲信息。 背景技術(shù)非易失性存儲器件的當(dāng)前市場由閃速存儲器件為主。這些器件將信息存儲在存儲 單元陣列中,每個存儲單元都包括浮柵晶體管。隨著閃速存儲器件的存儲密度的增加,器 件的單個存儲單元的尺寸降低。會預(yù)料到由于基本物理限制,閃速存儲器件將會面臨超越 45nm工藝節(jié)點(diǎn)的縮放比例問題。閃速存儲器件的寫速度和持續(xù)時間也會受到設(shè)計局限的限...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。