技術編號：6922713
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。背景技術發(fā)明領域本發(fā)明涉及。 相關的背景技術 具有通過膜形成步驟例如CVD、外延生長等形成的多晶硅膜的薄膜多晶硅太陽能電池，可以以比通過在晶片內形成半導體結而制成的體晶太陽能電池更低的生產(chǎn)成本生產(chǎn)，這種太陽能電池有望獲得比a-Si太陽能電池更高的光電轉換效率，且有望候選為下一代太陽能電池。一般的薄膜多晶硅太陽能電池的典型結構包括如附圖說明圖15中所示的那些pn結或如圖16中所示的那些pin結結構。在圖15中，數(shù)字81指基材，同時也用作支撐件，而數(shù)字82指導...
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