技術(shù)編號：6923661
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。具有ARL蝕刻的掩模修整背景技術(shù)本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的形成。更具體地，本發(fā)明涉及介電層蝕刻工藝。 在半導(dǎo)體晶片處理過程中，使用公知的圖案化和蝕刻工藝在晶片中形成半導(dǎo)體器件的特征。在這些(光刻)工藝中，光刻膠(PR)材料沉積在晶片上，然后暴露于經(jīng)過中間掩模過濾的光線。中間掩模通常是圖案化有模板特征幾何結(jié)構(gòu)的玻璃板，該幾何結(jié)構(gòu)阻止 光傳播透過中間掩模。 通過該中間掩模后，該光線接觸該光刻膠材料的表面。該光線改變該光刻膠材料的化學(xué)成分從而顯影機(jī)可以去除該光刻膠材...
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