技術(shù)編號(hào)：6925472
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。循環(huán)成核法本申請(qǐng)要求于2007年10月27日提交的名為“循環(huán)成核法”的美國臨時(shí)專利申請(qǐng) 序列號(hào)60/983，158的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)通過引用結(jié)合到本文中。背景半導(dǎo)體的清洗對(duì)于生產(chǎn)高成品率的集成電路是一個(gè)重要的工藝。傳統(tǒng)地，標(biāo)準(zhǔn)的 清洗方法通常包括一種或多種形式的RCA清洗程序。RCA清洗方法典型地使用過氧化氫和 氫氧化銨或鹽酸的混合物來移除粒子和污染物。在納米工藝中，粒子或污染物可能在高縱橫比的納米溝或通孔中，并因此由于液 體表面邊界層的限制而很難被有效地清...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。