技術(shù)編號：6930990
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體輻照實(shí)驗(yàn)測試，尤其涉及一種采用環(huán)形柵結(jié)構(gòu)的PMOS 劑量計。背景技術(shù)對空間輻射環(huán)境的研究始于上世紀(jì)四十年代。隨著地球磁場俘獲帶電粒子形成的 強(qiáng)輻射帶(Van-Allen帶)的發(fā)現(xiàn)和相繼發(fā)生的輻射引起的衛(wèi)星運(yùn)行故障，空間輻射環(huán)境的 研究越來越受到重視，各種空間輻射探測技術(shù)和設(shè)備相繼得到了應(yīng)用，其中也包括一些用 于輻射總劑量監(jiān)測的技術(shù)，如熱釋光(TLD)劑量計、尼龍薄膜劑量計、G-M計數(shù)管、PIN 二極 管、半導(dǎo)體探測器等。這些技術(shù)雖然取得了一...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。